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PMT200EPEX相关型号
Nexperia(安世半导体)热销型号

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图片仅供参考，请参考产品描述

  • PMT200EPEX

  • 制造商：Nexperia USA Inc.
  • 批号：19+
  • 描述：PMT200EPE/SOT223/SC-73
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列TrenchMOS™
  • 零件状态有源
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）70V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.4A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）167 毫欧 @ 2.4A， 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）15.9nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）822pF @ 35V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）800mW（Ta）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-223
  • 封装/外壳TO-261-4，TO-261AA

其它信息

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