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PMH950UPEH相关型号
Nexperia(安世半导体)热销型号

  • PUMH24,115

    双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7

  • PUMH14,115

    双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7

  • PUMD30,115

    双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7

  • PDTC143XM,315

    双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7

  • PDTC114EQAZ

    双极晶体管 - 预偏置 PDTC114EQA/DFN1010D-3/REEL 7

  • PDTC144EQAZ

    双极晶体管 - 预偏置 PDTC144EQA/DFN1010D-3/REEL 7

  • PDTA114EQAZ

    双极晶体管 - 预偏置 PDTA114EQA/DFN1010D-3/REEL 7

  • PDTC124EQAZ

    双极晶体管 - 预偏置 PDTC124EQA/DFN1010D-3/REEL 7

图片仅供参考，请参考产品描述

  • PMH950UPEH

  • 制造商：Nexperia USA Inc.
  • 批号：19+
  • 描述：PMH950UPE/SOT8001/DFN0606-3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）20V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）530mA（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.2V，4.5V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）0.95V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）.5nC @ 4V
  • Vgs（最大值）±8V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）36pF @ 10V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）370mW（Ta），2.2W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DFN0606-3（SOT8001）
  • 封装/外壳3-XFDFN

其它信息

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